Научно-технический и производственный журнал "Горный вестник Узбекистана"

Рубрики

УДК: 621.383.4

NANOMATERIALS AND NANOTECHNOLOGIES IN PHOTO-ENERGY

Авторы:

Рубрика: Энергетика || Выпуск: №1 (Январь-Март), 2020 год. || Скачать

Данная статья рассматривает возможность разработки и применения технологии диффузионного легирования для производства абсолютно новых модификаций фотоэлементов на основе кремния. Рассмотрен метод низкотемпературного диффузионного легирования кремния никелем, который является модельным металлом с высокой степенью спиновой поляризации электронов проводимости и получения полупроводников с заданными параметрами. Приведено показательно повышение эффективности преобразования энергии по сравнению с существующими промышленными фотоэлементами. Идея состоит в том, что, управляя температурой дополнительного обжига, можно в широком интервале изменять размеры кластеров, их распределение по объему и концентрацию, что в свою очередь позволяет увеличить производительность полупроводниковых соединений.

Ключевые слова: Наноэлектроника, микроэлектроника, современная электроника, наноструктура, молекулярный пучок, физические явления, температурная зависимость, освещение, термомагнитные устройства, фотоэлектрические свойства, фотоприемники, кластеры, электрически нейтральные.

Библиографический список

M.G. Milvidsky, V.V. Chaldyshev. Nanoscale atomic clusters in semiconductors - a new approach to the formation of material properties // FTP. 1998.V. 32. No. 5. -FROM. рр. 513-518.
M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Iliev H.M., K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachili. Inorganic materials, 47 (5), 545 р. (2011).
M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, K.S. Ayupov, S.B. Isamov. FTP, 44 (9), 1181 (2010).
Litovchenko V.G., Popov V.G., Svechnikov S.V. Amorphous Silicon Solar Cells // Optoelectronics and Semiconductor Technology. 1983, No. 3. – рр. 3-12.
Nanotechnology in electronics. Edited by Corresponding Member of the Russian Academy of Sciences Yu.A. Chaplygin - Moscow: Technosphere. 2005.- рp. 65-66.
Bahadyrkhanov M.K., Ayupov K.S., Iliev H.M., Mavlonov G.Kh., Sattarov O.E. The influence of the electric field, illumination, and temperature on the negative magnetoresistance of silicon doped by the low-temperature diffusion method. FTP, 2011. рр. 59-62.
Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Saitov E. B. and other // Formation of Clusters of Impurity Atoms of Nickel in Silicon and Controlling Their Parameters Nanoscience and Nanotechnology, 2014 years. Vol. 4 No. 2. рр. 29-32.
Abdurakhmanov B.A., Bakhadirkhanov M.K., Iliyev H. M., Saitov E. B. and other // Silicon with Clusters of Impurity Atoms as a Novel Material for Photovoltaic // Nanoscience and Nanotechnology, 2014 years. Vol. 4.No. 3. рр. 36-39.

RSS лента Написать нам

УДК: 621.383.4

Авторы:

КОМПЛЕКСНЫЙ АНАЛИЗ ИЗНОСА ИНСТРУМЕНТА В СОВРЕМЕННЫХ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ПРОЦЕССАХ

FREZALASH DASTGOHLARINI MODELLASHTIRISH ASOSIDA TADQIQ QILISH

STRUKTURAVIY TASHKIL ETUVCHILARNING YEYILISHGA BARDOSHLILIK XUSUSIYATIGA TA’SIRINI TAHLIL QILISH

СПОСОБЫ ИНТЕНСИФИКАЦИИ ИЗМЕЛЬЧЕНИЯ В ШАРОВЫХ МЕЛЬНИЦАХ

ПЕРЕРАБОТКА ОТРАБОТАННЫХ МАГНЕЗИТОВЫХ КАПЕЛЕЙ ПРОБИРНОГО АНАЛИЗА

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ОПИСАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФИЛЬТРАЦИИ ПРИ ПОДЗЕМНОМ ВЫЩЕЛАЧИВАНИИ